NCP1079BBP130G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro NCP1079BBP130G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro NCP1079BBP130G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si NCP1079BBP130G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
NCP1079BBP130G
- Part Number:
- NCP1079BBP130G
- Popis:
- ENHANCED OFF-LINE SWITCHE
- Množství zásob:
- 20866 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- NCP1079BBP130G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Série: | * |
| Ostatní jména: | NCP1079BBP130G-ND NCP1079BBP130GOS |
| Výrobní standardní doba výroby: | 4 Weeks |
| Vedoucí volný stav: | Lead free |
| Detailní popis: | Converter Offline Topology |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NCP1079BBP130G
Latest News
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný