NAND02GR3B2DZA6E je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro NAND02GR3B2DZA6E, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro NAND02GR3B2DZA6E e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si NAND02GR3B2DZA6E s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
NAND02GR3B2DZA6E
- Part Number:
- NAND02GR3B2DZA6E
- Výrobce:
- Micron Technology
- Popis:
- IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 51795 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- NAND02GR3B2DZA6E.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | 45ns |
| Napětí - Supply: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technika: | FLASH - NAND |
| Dodavatel zařízení Package: | 63-VFBGA (9.5x12) |
| Série: | - |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | 63-TFBGA |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Non-Volatile |
| Velikost paměti: | 2Gb (256M x 8) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | FLASH |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 45ns 63-VFBGA (9.5x12) |
| Číslo základní části: | NAND02G |
| přístupová doba: | 45ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NAND02GR3B2DZA6E
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen