MX29GL512FLXFI-11G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MX29GL512FLXFI-11G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MX29GL512FLXFI-11G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MX29GL512FLXFI-11G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MX29GL512FLXFI-11G
- Part Number:
- MX29GL512FLXFI-11G
- Výrobce:
- Macronix
- Popis:
- IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 37727 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MX29GL512FLXFI-11G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | 110ns |
| Napětí - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technika: | FLASH - NOR |
| Dodavatel zařízení Package: | 64-LFBGA, CSP (11x13) |
| Série: | MX29GL |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | 64-LBGA, CSPBGA |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Non-Volatile |
| Velikost paměti: | 512Mb (64M x 8) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | FLASH |
| Výrobní standardní doba výroby: | 20 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-LFBGA, CSP (11x13) |
| přístupová doba: | 110ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MX29GL512FLXFI-11G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
MX29GL512GLT2I-10G | Macronix | IC FLASH 512MBIT | Dotaz |
|
MX29GL512GHXFI-10G | Macronix | IC FLASH 512MBIT | Dotaz |
 |
MX29GL512FUT2I-11G | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP | Dotaz |
|
MX29GL512FUT2I-12G | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP | Dotaz |
 |
MX29GL512FUXFI-11G | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA | Dotaz |
|
MX29GL512FHXFI-10Q | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA | Dotaz |
|
MX29GL512FDXFI-12G | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA | Dotaz |
|
MX29GL512FLT2I-10Q | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP | Dotaz |
|
MX29GL512FHT2I-11G | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP | Dotaz |
|
MX29GL512FLT2I-11G | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP | Dotaz |
|
MX29GL512GHT2I-10G | Macronix | IC FLASH 512MBIT | Dotaz |
|
MX29GL512GDXFI-11G | Macronix | IC FLASH 512MBIT | Dotaz |
|
MX29GL512FDXFI-11G | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA | Dotaz |
|
MX29GL512FLXGI-10Q | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 56FBGA | Dotaz |
|
MX29GL512FHXFI-11G | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA | Dotaz |
|
MX29GL512FUXFI-12G | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA | Dotaz |
|
MX29GL512FLXFI-10Q | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA | Dotaz |
|
MX29GL512GDT2I-11G | Macronix | IC FLASH 512MBIT | Dotaz |
|
MX29GL512FHXGI-10Q | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 56FBGA | Dotaz |
|
MX29GL512FHT2I-10Q | Macronix | IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP | Dotaz |
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS