MT28F800B5SG-8 TET je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MT28F800B5SG-8 TET, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MT28F800B5SG-8 TET e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MT28F800B5SG-8 TET s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MT28F800B5SG-8 TET
- Part Number:
- MT28F800B5SG-8 TET
- Výrobce:
- Micron Technology
- Popis:
- IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 23216 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MT28F800B5SG-8 TET.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | 80ns |
| Napětí - Supply: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technika: | FLASH - NOR |
| Dodavatel zařízení Package: | 44-SOP |
| Série: | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) |
| Ostatní jména: | MT28F800B5SG-8 TET-ND MT28F800B5SG-8TET |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ paměti: | Non-Volatile |
| Velikost paměti: | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | FLASH |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Detailní popis: | FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 80ns 44-SOP |
| Číslo základní části: | MT28F800B5 |
| přístupová doba: | 80ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MT28F800B5SG-8 TET
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení