MOX-200001007J je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MOX-200001007J, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MOX-200001007J e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MOX-200001007J s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MOX-200001007J
- Part Number:
- MOX-200001007J
- Výrobce:
- Ohmite
- Popis:
- RES 1G OHM 1/4W 5% AXIAL
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 26088 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MOX-200001007J.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Tolerance: | ±5% |
| teplotní koeficient: | 200ppm/°C |
| Dodavatel zařízení Package: | Axial |
| Velikost / Rozměry: | 0.087" Dia x 0.256" L (2.20mm x 6.50mm) |
| Série: | Mini-Mox |
| Režim panel: | 1 GOhms |
| Příkon (W): | 0.25W, 1/4W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Axial |
| Ostatní jména: | MOX200J-1000M MOX200J-1000MEG MOX200J-1000MEG-ND |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 155°C |
| Počet účastnických ukončení: | 2 |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Výška - Sedící (Max): | - |
| Funkce: | High Voltage, Moisture Resistant |
| Poruchovost: | - |
| Detailní popis: | 1 GOhms ±5% 0.25W, 1/4W Through Hole Resistor Axial High Voltage, Moisture Resistant Thick Film |
| Složení: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MOX-200001007J
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
MOX-200001006J | Ohmite | RES 100M OHM 1/4W 5% AXIAL | Dotaz |
 |
MOX-2N-131006FE | Ohmite | RES 100M OHM 3W 1% AXIAL | Dotaz |
 |
MOX-2-121006FE | Ohmite | RES 100M OHM 5W 1% AXIAL | Dotaz |
 |
MOX-2-121007JE | Ohmite | RES 1G OHM 5W 5% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-2N-131005FE | Ohmite | RES 10M OHM 3W 1% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-300001006F | Ohmite | RES 100M OHM 1/2W 1% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-2N-131004FE | Ohmite | RES 1M OHM 3W 1% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-2-131009D | Ohmite | RES 100G OHM 3W 0.5% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-300001005F | Ohmite | RES 10M OHM 1/2W 1% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-200001005J | Ohmite | RES 10M OHM 1/4W 5% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-300001006J | Ohmite | RES 100M OHM 1/2W 5% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-2N-135004FE | Ohmite | RES 5M OHM 3W 1% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-200001007F | Ohmite | RES 1G OHM 1/4W 1% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-2N-131007JE | Ohmite | RES 1G OHM 3W 5% AXIAL | Dotaz |
 |
MOX-2-121007FE | Ohmite | RES 1G OHM 5W 1% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-200001005F | Ohmite | RES 10M OHM 1/4W 1% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-200001006F | Ohmite | RES 100M OHM 1/4W 1% AXIAL | Dotaz |
 |
MOX-2-121006JE | Ohmite | RES 100M OHM 5W 5% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-2N-131505FE | Ohmite | RES 15M OHM 3W 1% AXIAL | Dotaz |
|
MOX-300001005J | Ohmite | RES 10M OHM 1/2W 5% AXIAL | Dotaz |
Latest News
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný