MMUN2113LT1G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MMUN2113LT1G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MMUN2113LT1G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MMUN2113LT1G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MMUN2113LT1G
- Part Number:
- MMUN2113LT1G
- Popis:
- TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 20867 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MMUN2113LT1G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type: | PNP - Pre-Biased |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Série: | - |
| Resistor - emitorová základna (R2): | 47 kOhms |
| Rezistor - základna (R1): | 47 kOhms |
| Power - Max: | 246mW |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ostatní jména: | MMUN2113LT1GOSCT |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 36 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 500nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Číslo základní části: | MMUN21**L |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MMUN2113LT1G
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?