MLZ2012A2R2M je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MLZ2012A2R2M, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MLZ2012A2R2M e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MLZ2012A2R2M s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MLZ2012A2R2M
- Part Number:
- MLZ2012A2R2M
- Výrobce:
- TDK Corporation
- Popis:
- FIXED IND 2.2UH 160MA 260 MOHM
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 28771 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MLZ2012A2R2M.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | Multilayer |
| Tolerance: | ±20% |
| Dodavatel zařízení Package: | 0805 (2012 Metric) |
| Velikost / Rozměry: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| stínění: | Shielded |
| Série: | MLZ |
| hodnocení: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | 0805 (2012 Metric) |
| Ostatní jména: | 445-3168-1 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiál - jádro: | Ferrite |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence indukčnosti - test: | 10MHz |
| indukčnost: | 2.2µH |
| Výška - Sedící (Max): | 0.041" (1.05mm) |
| Frekvence - Self Resonant: | 100MHz |
| Detailní popis: | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 160mA 260 mOhm 0805 (2012 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 260 mOhm |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 160mA |
| Proud - Saturace: | 160mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MLZ2012A2R2M
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické