MJE180G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MJE180G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MJE180G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MJE180G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MJE180G
- Part Number:
- MJE180G
- Popis:
- TRANS NPN 40V 3A TO225AA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 46300 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MJE180G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 40V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 1.7V @ 600mA, 3A |
| Transistor Type: | NPN |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-225AA |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.5W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | TO-225AA, TO-126-3 |
| Ostatní jména: | MJE180GOS |
| Provozní teplota: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 2 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 50MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-225AA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 100mA, 1V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 3A |
| Číslo základní části: | MJE180 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MJE180G
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS