MGV252010S2R2M-10 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MGV252010S2R2M-10, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MGV252010S2R2M-10 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MGV252010S2R2M-10 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MGV252010S2R2M-10
- Part Number:
- MGV252010S2R2M-10
- Výrobce:
- Laird Technologies
- Popis:
- FIXED IND 2.2UH 2.4A 110MOHM SMD
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 48163 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MGV252010S2R2M-10.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | Molded |
| Tolerance: | ±20% |
| Dodavatel zařízení Package: | - |
| Velikost / Rozměry: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| stínění: | Shielded |
| Série: | MGV |
| hodnocení: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 1008 (2520 Metric) |
| Ostatní jména: | 240-3086-2 MGV252010S2R2M-10-ND |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | Not Applicable |
| Materiál - jádro: | - |
| Výrobní standardní doba výroby: | 11 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence indukčnosti - test: | 1MHz |
| indukčnost: | 2.2µH |
| Výška - Sedící (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Frekvence - Self Resonant: | - |
| Funkce: | - |
| Detailní popis: | 2.2µH Shielded Molded Inductor 2.4A 110 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 110 mOhm Max |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 2.4A |
| Proud - Saturace: | 3.3A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MGV252010S2R2M-10
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen