MC33153DR2G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MC33153DR2G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MC33153DR2G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MC33153DR2G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MC33153DR2G
- Part Number:
- MC33153DR2G
- Popis:
- IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 27835 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MC33153DR2G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 11 V ~ 20 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SOIC |
| Série: | - |
| Doba vzestupu / pádu (typ): | 17ns, 17ns |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | MC33153DR2GOS MC33153DR2GOS-ND MC33153DR2GOSTR |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| vstupní frekvence: | 1 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 26 Weeks |
| Logické napětí - VIL, VIH: | 1.2V, 3.2V |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Inverting |
| Typ brány: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Řízená konfigurace: | Low-Side |
| Detailní popis: | Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC |
| Aktuální - špičkový výstup (zdroj, dřez): | 1A, 2A |
| Base-emiter (Max): | Single |
| Číslo základní části: | MC33153 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MC33153DR2G
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení