MBT35200MT2G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MBT35200MT2G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MBT35200MT2G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MBT35200MT2G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MBT35200MT2G
- Part Number:
- MBT35200MT2G
- Popis:
- TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 44087 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MBT35200MT2G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 35V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 310mV @ 20mA, 2A |
| Transistor Type: | PNP |
| Dodavatel zařízení Package: | 6-TSOP |
| Série: | - |
| Power - Max: | 625mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | SOT-23-6 |
| Provozní teplota: | - |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 100MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 2A |
| Číslo základní části: | MBT35200 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MBT35200MT2G
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení