MBR6035PT je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MBR6035PT, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MBR6035PT e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MBR6035PT s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MBR6035PT
- Part Number:
- MBR6035PT
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO3P
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olovo a RoHS
- Množství zásob:
- 41175 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MBR6035PT.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 750mV @ 60A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 35V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-3P |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Provozní teplota - spojení: | -55°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Schottky |
| Konfigurace dioda: | 1 Pair Common Cathode |
| Detailní popis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 60A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1mA @ 35V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MBR6035PT
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení