MBR40250TG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MBR40250TG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MBR40250TG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MBR40250TG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MBR40250TG
- Part Number:
- MBR40250TG
- Popis:
- DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220AB
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 51550 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MBR40250TG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 970mV @ 40A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 250V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220AB |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | SWITCHMODE™ |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 35ns |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | MBR40250TG-ND MBR40250TGOS |
| Provozní teplota - spojení: | -65°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 24 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Schottky |
| Detailní popis: | Diode Schottky 250V 40A Through Hole TO-220AB |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 30µA @ 250V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 40A |
| Kapacitní @ Vr, F: | 500pF @ 5V, 1MHz |
| Číslo základní části: | MBR40250 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MBR40250TG
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC