MBR2535CT je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MBR2535CT, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MBR2535CT e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MBR2535CT s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MBR2535CT
- Part Number:
- MBR2535CT
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 51800 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.MBR2535CT.pdf2.MBR2535CT.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 820mV @ 30A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 35V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220AB |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | *MBR2535CT MBR2535CTIR VS-MBR2535CT VS-MBR2535CTIR-ND VS-MBR2535CTIRL VSMBR2535CTIR-ND |
| Provozní teplota - spojení: | -65°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Type: | Schottky |
| Konfigurace dioda: | 1 Pair Common Cathode |
| Detailní popis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 15A Through Hole TO-220-3 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 200µA @ 35V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 15A |
| Číslo základní části: | MBR2535CT |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MBR2535CT
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické