MB85RS2MTAPH-G-JNE2 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MB85RS2MTAPH-G-JNE2, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MB85RS2MTAPH-G-JNE2 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MB85RS2MTAPH-G-JNE2 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MB85RS2MTAPH-G-JNE2
- Part Number:
- MB85RS2MTAPH-G-JNE2
- Popis:
- IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 43290 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MB85RS2MTAPH-G-JNE2.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | - |
| Napětí - Supply: | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Technika: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-DIP |
| Série: | - |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Ostatní jména: | 865-1285 MB85RS2MTAPH-G-JNE2-ND |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ paměti: | Non-Volatile |
| Velikost paměti: | 2Mb (256K x 8) |
| Paměťové rozhraní: | SPI |
| Formát paměti: | FRAM |
| Výrobní standardní doba výroby: | 20 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (256K x 8) SPI 40MHz 8-DIP |
| Frekvence hodin: | 40MHz |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MB85RS2MTAPH-G-JNE2
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS