M1A3PE1500-FG676 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro M1A3PE1500-FG676, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro M1A3PE1500-FG676 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si M1A3PE1500-FG676 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
M1A3PE1500-FG676
- Part Number:
- M1A3PE1500-FG676
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- IC FPGA 444 I/O 676FBGA
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 26492 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- M1A3PE1500-FG676.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Celkem RAM Bits: | 276480 |
| Dodavatel zařízení Package: | 676-FBGA (27x27) |
| Série: | ProASIC3E |
| Paket / krabice: | 676-BGA |
| Provozní teplota: | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| Počet I / O: | 444 |
| Počet Gates: | 1500000 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Číslo základní části: | M1A3PE1500 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro M1A3PE1500-FG676
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS