LSM845J je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro LSM845J, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro LSM845J e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si LSM845J s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
LSM845J
- Part Number:
- LSM845J
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 49237 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- LSM845J.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 520mV @ 8A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 45V |
| Dodavatel zařízení Package: | DO-214AB |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | DO-214AB, SMC |
| Ostatní jména: | LSM845JTR |
| Provozní teplota - spojení: | -55°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Type: | Schottky |
| Detailní popis: | Diode Schottky 45V 8A Surface Mount DO-214AB |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 2mA @ 45V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 8A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Číslo základní části: | LSM845 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro LSM845J
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
LSM840JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | Dotaz |
 |
LSM840GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | Dotaz |
 |
LSM845JE3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | Dotaz |
|
LSM835JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | Dotaz |
|
LSM840G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | Dotaz |
 |
LSM6DSMTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | Dotaz |
 |
LSM9DS0TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO/MAG I2C/SPI 24LGA | Dotaz |
|
LSM845JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | Dotaz |
 |
LSM6DSLUSTR | STMicroelectronics | MOD SIP ACCEL/GYRO 3D 14LGA | Dotaz |
|
LSM845J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | Dotaz |
|
LSM835GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | Dotaz |
|
LSM835G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | Dotaz |
|
LSM6DSOTR | STMicroelectronics | CONSUMER MEMS | Dotaz |
|
LSM845GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB | Dotaz |
|
LSM6DSMUSTR | STMicroelectronics | INEMO INERTIAL MODULE: 3D ACCELE | Dotaz |
|
LSM840J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | Dotaz |
 |
LSM9DS1TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO/MAG I2C/SPI 24LGA | Dotaz |
|
LSM845G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB | Dotaz |
 |
LSM6DSLTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | Dotaz |
|
LSM835J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení