LQW15AN20NJ80D je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro LQW15AN20NJ80D, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro LQW15AN20NJ80D e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si LQW15AN20NJ80D s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
LQW15AN20NJ80D
- Part Number:
- LQW15AN20NJ80D
- Výrobce:
- Murata Electronics
- Popis:
- FIXED IND 20NH 800MA 186 MOHM
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 38103 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.LQW15AN20NJ80D.pdf2.LQW15AN20NJ80D.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | Wirewound |
| Tolerance: | ±5% |
| Dodavatel zařízení Package: | - |
| Velikost / Rozměry: | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
| stínění: | Unshielded |
| Série: | LQW15 |
| hodnocení: | - |
| Q @ Freq: | 30 @ 250MHz |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | 0402 (1006 Metric) |
| Ostatní jména: | 490-16880-6 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiál - jádro: | - |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence indukčnosti - test: | 100MHz |
| indukčnost: | 20nH |
| Výška - Sedící (Max): | 0.024" (0.60mm) |
| Frekvence - Self Resonant: | 4.5GHz |
| Detailní popis: | 20nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 186 mOhm Max 0402 (1006 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 186 mOhm Max |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 800mA |
| Proud - Saturace: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro LQW15AN20NJ80D
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen