LKG1E332MESBBK je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro LKG1E332MESBBK, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro LKG1E332MESBBK e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si LKG1E332MESBBK s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
LKG1E332MESBBK
- Part Number:
- LKG1E332MESBBK
- Výrobce:
- Nichicon
- Popis:
- CAP ALUM 3300UF 20% 25V SNAP IN
- Množství zásob:
- 35873 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- LKG1E332MESBBK.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 25V |
| Tolerance: | ±20% |
| Povrchová montáž Land Velikost: | - |
| Velikost / Rozměry: | 1.181" Dia (30.00mm) |
| Série: | LKG |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 1.85A @ 120Hz |
| hodnocení: | - |
| Polarizace: | Polar |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Radial, Can - Snap-In |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Výrobní standardní doba výroby: | 31 Weeks |
| Životnost @ Temp.: | 1000 Hrs @ 85°C |
| Rozestup vývodù: | 0.394" (10.00mm) |
| Výška - Sedící (Max): | 0.866" (22.00mm) |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | - |
| Detailní popis: | 3300µF 25V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 1000 Hrs @ 85°C |
| kapacitní: | 3300µF |
| Aplikace: | Audio |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro LKG1E332MESBBK
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
LKG1E272MESZCK | Nichicon | CAP ALUM 2700UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E392MESABK | Nichicon | CAP ALUM 3900UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E223MESCAK | Nichicon | CAP ALUM 22000UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E333MESCAK | Nichicon | CAP ALUM 33000UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E272MESZBK | Nichicon | CAP ALUM 2700UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E272MESYBK | Nichicon | CAP ALUM 2700UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E332MESYBK | Nichicon | CAP ALUM 3300UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E272MESACK | Nichicon | CAP ALUM 2700UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E332MESCCK | Nichicon | CAP ALUM 3300UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E272MESYCK | Nichicon | CAP ALUM 2700UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E332MESACK | Nichicon | CAP ALUM 3300UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E392MESACK | Nichicon | CAP ALUM 3900UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E332MESBCK | Nichicon | CAP ALUM 3300UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E222MESZCK | Nichicon | CAP ALUM 2200UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E332MESZAK | Nichicon | CAP ALUM 3300UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E392MESAAK | Nichicon | CAP ALUM 3900UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E273MESCAK | Nichicon | CAP ALUM 27000UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E332MESZBK | Nichicon | CAP ALUM 3300UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E223MESBAK | Nichicon | CAP ALUM 22000UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
|
LKG1E332MESZCK | Nichicon | CAP ALUM 3300UF 20% 25V SNAP IN | Dotaz |
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS