LI1806E800R-10 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro LI1806E800R-10, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro LI1806E800R-10 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si LI1806E800R-10 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
LI1806E800R-10
- Part Number:
- LI1806E800R-10
- Výrobce:
- Laird Technologies
- Popis:
- FERRITE BEAD 80 OHM 1806 1LN
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 50222 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Velikost / Rozměry: | 0.177" L x 0.063" W (4.50mm x 1.60mm) |
| Série: | LI |
| hodnocení: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 1806 (4516 Metric) |
| Ostatní jména: | 240-2420-2 LI1806E800R10 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| Počet řádků: | 1 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | Not Applicable |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedance @ Frekvence: | 80 Ohms @ 100MHz |
| Výška (Max): | 0.073" (1.85mm) |
| Typ filtru: | Power, Signal Line |
| DC odpor (DCR) (Max): | 300 mOhm |
| Karta Tloušťka (mm): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro LI1806E800R-10
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný