LET9180 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro LET9180, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro LET9180 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si LET9180 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
LET9180
- Part Number:
- LET9180
- Výrobce:
- STMicroelectronics
- Popis:
- IC RF TRANSISTOR LDMOS M246
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 33707 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- LET9180.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 32V |
| Napětí - Jmenovitá: | 80V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Dodavatel zařízení Package: | M246 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 175W |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | M246 |
| Ostatní jména: | 497-14586 LET9180-ND |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Získat: | 20dB |
| Frekvence: | 860MHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet LDMOS 32V 500mA 860MHz 20dB 175W M246 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 24A |
| Aktuální - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro LET9180
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
LET9070CB | STMicroelectronics | MOSF RF N CH 80V 12A M243 | Dotaz |
 |
LET9060STR | STMicroelectronics | RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF | Dotaz |
 |
LET9045F | STMicroelectronics | FET RF LDMOS 80V 9A M-250 | Dotaz |
 |
LET9045STR | STMicroelectronics | RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF | Dotaz |
|
LET9060C | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 12A M-243 | Dotaz |
|
LET16045C | STMicroelectronics | FET RF 80V 1.6GHZ M243 | Dotaz |
|
LET9045S | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A | Dotaz |
 |
LET9150 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 20A M-246 | Dotaz |
 |
LET9060TR | STMicroelectronics | RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF | Dotaz |
|
LET9045TR | STMicroelectronics | RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF | Dotaz |
|
LET9060 | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | Dotaz |
|
LET9070FB | STMicroelectronics | RF MOSFET LDMOS 28V M250 | Dotaz |
|
LET16060C | STMicroelectronics | FET RF 80V 1.6GHZ M243 | Dotaz |
|
LET9060F | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 12A M-250 | Dotaz |
|
LET9060S | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | Dotaz |
|
LET20030C | STMicroelectronics | FET RF 80V 2GHZ M243 | Dotaz |
 |
LET9045C | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 9A M-250 | Dotaz |
|
LET20045C | STMicroelectronics | RF MOSFET N CH 80V 12A M243 | Dotaz |
 |
LET9045 | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A | Dotaz |
|
LET9120 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 18A M-246 | Dotaz |
Latest News
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory