KSB1149OSTU je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro KSB1149OSTU, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro KSB1149OSTU e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si KSB1149OSTU s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
KSB1149OSTU
- Part Number:
- KSB1149OSTU
- Popis:
- TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 31800 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- KSB1149OSTU.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 100V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 1.2V @ 1.5mA, 1.5A |
| Transistor Type: | PNP - Darlington |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-126-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.3W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-225AA, TO-126-3 |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | - |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 3A 1.3W Through Hole TO-126-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 2000 @ 1.5A, 2V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 3A |
| Číslo základní části: | KSB1149 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro KSB1149OSTU
Latest News
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače