JANTXV2N6249T1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro JANTXV2N6249T1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro JANTXV2N6249T1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si JANTXV2N6249T1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
JANTXV2N6249T1
- Part Number:
- JANTXV2N6249T1
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- TRANS NPN 200V 10A TO-3
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 36286 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- JANTXV2N6249T1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 200V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 1.5V @ 1A, 10A |
| Transistor Type: | NPN |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-254AA |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/510 |
| Power - Max: | 6W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Ostatní jména: | 1086-16185 1086-16185-MIL |
| Provozní teplota: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frekvence - Přechod: | - |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 10A 6W Through Hole TO-254AA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 10 @ 10A, 3V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 1mA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro JANTXV2N6249T1
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC