JANTX1N6624 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro JANTX1N6624, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro JANTX1N6624 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si JANTX1N6624 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
JANTX1N6624
- Part Number:
- JANTX1N6624
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE GEN PURP 990V 1A AXIAL
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 43876 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- JANTX1N6624.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.55V @ 1A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 990V |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 50ns |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | A, Axial |
| Ostatní jména: | 1086-2653 1086-2653-MIL |
| Provozní teplota - spojení: | -65°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 18 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 990V 1A Through Hole |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 500nA @ 990V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 1A |
| Kapacitní @ Vr, F: | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro JANTX1N6624
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N6622 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL | Dotaz |
 |
JANTX1N6627 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL | Dotaz |
 |
JANTX1N6621 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL | Dotaz |
|
JANTX1N6620US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 2A D5A | Dotaz |
|
JANTX1N6623U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF | Dotaz |
 |
JANTX1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B | Dotaz |
 |
JANTX1N6621US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 2A D5A | Dotaz |
|
JANTX1N6624US | Microsemi | DIODE GEN PURP 990V 1A D5A | Dotaz |
|
JANTX1N6624U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF | Dotaz |
|
JANTX1N6623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | Dotaz |
|
JANTX1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | Dotaz |
|
JANTX1N6623 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL | Dotaz |
|
JANTX1N6622U | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | Dotaz |
|
JANTX1N6626U | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1.75A A-MELF | Dotaz |
|
JANTX1N6627U | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | Dotaz |
|
JANTX1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | Dotaz |
|
JANTX1N6621U | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF | Dotaz |
|
JANTX1N6627US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B | Dotaz |
 |
JANTX1N6625 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL | Dotaz |
|
JANTX1N6622US | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 2A D5A | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení