JAN2N7228U je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro JAN2N7228U, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro JAN2N7228U e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si JAN2N7228U s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
JAN2N7228U
- Part Number:
- JAN2N7228U
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET N-CH TO-267AB
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 52198 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- JAN2N7228U.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-267AB |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/592 |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 515 mOhm @ 12A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | TO-267AB |
| Ostatní jména: | JAN2N7228U-MIL |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 500V |
| Detailní popis: | N-Channel 500V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-267AB |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro JAN2N7228U
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N7224 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-254AA | Dotaz |
|
JAN2N7228 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-254AA | Dotaz |
|
JAN2N7236U | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB | Dotaz |
|
JAN2N7370 | Microsemi | TRANS NPN DARL 100V 12A TO254 | Dotaz |
|
JAN2N718A | Microsemi | TRANS NPN 30V 0.5A | Dotaz |
|
JAN2N7227U | Microsemi | MOSFET N-CH TO-267AB | Dotaz |
|
JAN2N918UB | Microsemi | TRANS NPN 15V 0.05A TO72 | Dotaz |
|
JAN2N7373 | Microsemi | TRANS NPN 80V 5A TO254 | Dotaz |
|
JAN2N7227 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-254AA | Dotaz |
|
JAN2N918 | Microsemi | TRANS NPN 15V 0.05A TO72 | Dotaz |
|
JAN2N7225 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-254AA | Dotaz |
|
JAN2N708 | Microsemi | TRANS NPN 15V | Dotaz |
|
JAN2N7236 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA | Dotaz |
|
JAN2N720A | Microsemi | TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 | Dotaz |
|
JAN2N7224U | Microsemi | MOSFET N-CH TO-267AB | Dotaz |
|
JAN2N7335 | Microsemi Corporation | MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB | Dotaz |
|
JAN2N7369 | Microsemi | NPN TRANSISTOR | Dotaz |
|
JAN2N7372 | Microsemi | TRANS PNP 80V 5A TO254 | Dotaz |
|
JAN2N7225U | Microsemi | MOSFET N-CH TO-267AB | Dotaz |
|
JAN2N7334 | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | Dotaz |
Latest News
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný