JAN1N4625CUR-1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro JAN1N4625CUR-1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro JAN1N4625CUR-1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si JAN1N4625CUR-1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
JAN1N4625CUR-1
- Part Number:
- JAN1N4625CUR-1
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 45820 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- JAN1N4625CUR-1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Izolace: | 1500 Ohm |
| Napětí - Rozdělení: | DO-213AA |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/435 |
| Stav RoHS: | Bulk |
| Power - Max: | 500mW |
| Polarizace: | DO-213AA |
| Ostatní jména: | 1086-18417 1086-18417-MIL |
| Provozní teplota: | -65°C ~ 175°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | JAN1N4625CUR-1 |
| Impedance (Max) (ZZT): | 5.1V |
| Rozšířený popis: | Zener Diode 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | ±2% |
| Konfigurace dioda: | 5µA @ 3V |
| Popis: | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.1V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro JAN1N4625CUR-1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N4626-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 | Dotaz |
|
JAN1N4625C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | Dotaz |
 |
JAN1N4623DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 500MW DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N4626C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 | Dotaz |
|
JAN1N4624-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | Dotaz |
|
JAN1N4626UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N4626D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 | Dotaz |
|
JAN1N4624D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | Dotaz |
|
JAN1N4626DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N4625D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | Dotaz |
|
JAN1N4624DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO213AA | Dotaz |
 |
JAN1N4625UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N4624CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N4626CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N4624C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | Dotaz |
|
JAN1N4623UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.3V 500MW DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N4625DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N4625-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | Dotaz |
|
JAN1N4627-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | Dotaz |
|
JAN1N4624UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO213AA | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen