JAN1N3612 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro JAN1N3612, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro JAN1N3612 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si JAN1N3612 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
JAN1N3612
- Part Number:
- JAN1N3612
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 35774 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- JAN1N3612.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1A |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/228 |
| Stav RoHS: | Bulk |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | - |
| Polarizace: | A, Axial |
| Ostatní jména: | 1086-1997 1086-1997-MIL Q8501595 |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | JAN1N3612 |
| Rozšířený popis: | Diode Standard 400V 1A Through Hole |
| Konfigurace dioda: | 100µA @ 300V |
| Popis: | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.1V @ 1A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 400V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro JAN1N3612
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3338B | Microsemi | DIODE ZENER 82V 50W DO203AB | Dotaz |
 |
JAN1N3644 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL | Dotaz |
|
JAN1N3595A-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 | Dotaz |
|
JAN1N3645 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL | Dotaz |
|
JAN1N3595AUS | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA | Dotaz |
|
JAN1N3646 | Microsemi | DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL | Dotaz |
 |
JAN1N3611 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Dotaz |
|
JAN1N3339B | Microsemi | DIODE ZENER 50W DO-203AB | Dotaz |
|
JAN1N3600 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 | Dotaz |
 |
JAN1N3613 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Dotaz |
|
JAN1N3671A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Dotaz |
|
JAN1N3673A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Dotaz |
|
JAN1N3330B | Microsemi | DIODE ZENER 47V 50W DO5 | Dotaz |
 |
JAN1N3614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | Dotaz |
|
JAN1N3647 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL | Dotaz |
|
JAN1N3595AUR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | Dotaz |
 |
JAN1N3595-1 | Microsemi Corporation | DIODE SW 125V 150MA DO35 | Dotaz |
|
JAN1N3671R | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Dotaz |
|
JAN1N3595UR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N3671AR | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen