IXTY18P10T je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IXTY18P10T, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IXTY18P10T e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IXTY18P10T s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IXTY18P10T
- Part Number:
- IXTY18P10T
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 38109 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IXTY18P10T.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±15V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-252 |
| Série: | TrenchP™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 9A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 83W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 24 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2100pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 100V |
| Detailní popis: | P-Channel 100V 18A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXTY18P10T
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R6N100D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | Dotaz |
|
IXTY1R4N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 | Dotaz |
|
IXTY08N100D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | Dotaz |
|
IXTY08N50D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | Dotaz |
|
IXTY1R4N60P TRL | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK | Dotaz |
|
IXTY08N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | Dotaz |
|
IXTY1R4N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 | Dotaz |
|
IXTY1N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 | Dotaz |
|
IXTY10P15T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | Dotaz |
|
IXTY1N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 | Dotaz |
|
IXTY1R4N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK | Dotaz |
|
IXTY06N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | Dotaz |
|
IXTY15P15T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 | Dotaz |
|
IXTY12N06T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | Dotaz |
 |
IXTY08N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | Dotaz |
|
IXTY1N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | Dotaz |
|
IXTY15N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 | Dotaz |
|
IXTY1N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA | Dotaz |
|
IXTY1R4N120PHV | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | Dotaz |
|
IXTY12N06TTRL | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení