IXTU64N055T je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IXTU64N055T, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IXTU64N055T e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IXTU64N055T s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IXTU64N055T
- Part Number:
- IXTU64N055T
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- MOSFET N-CH 55V 64A TO-251
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 55112 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IXTU64N055T.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 25µA |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-251 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Ztráta energie (Max): | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Provozní teplota: | - |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 55V |
| Detailní popis: | N-Channel 55V 64A (Tc) Through Hole TO-251 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 64A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXTU64N055T
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTU08N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | Dotaz |
|
IXTU2N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-251 | Dotaz |
 |
IXTV130N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220 | Dotaz |
|
IXTU12N06T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-251 | Dotaz |
 |
IXTV110N25TS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD | Dotaz |
|
IXTV102N25T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220 | Dotaz |
|
IXTU1R4N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 | Dotaz |
|
IXTV120N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 | Dotaz |
|
IXTU44N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 44A TO-251 | Dotaz |
|
IXTU50N085T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 85V 50A TO-251 | Dotaz |
|
IXTV18N60PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD | Dotaz |
|
IXTV18N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 | Dotaz |
|
IXTU06N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | Dotaz |
|
IXTU55N075T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 75V 55A TO-251 | Dotaz |
|
IXTV03N400S | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 | Dotaz |
|
IXTU05N120 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | Dotaz |
 |
IXTU8N70X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 | Dotaz |
|
IXTV102N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220 | Dotaz |
|
IXTU5N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 | Dotaz |
|
IXTV02N250S | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220 | Dotaz |
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC