Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
Part Number:
IXTT16N10D2
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
51613 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
IXTT16N10D2.pdf
Dotaz

Úvod

IXTT16N10D2 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IXTT16N10D2, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IXTT16N10D2 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IXTT16N10D2 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:-
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-268
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:64 mOhm @ 8A, 0V
Ztráta energie (Max):830W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:24 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:5700pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:225nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:Depletion Mode
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):0V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Detailní popis:N-Channel 100V 16A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount TO-268
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro IXTT16N10D2

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
IXTT1N100 Image IXTT1N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 Dotaz
IXTT12N150 Image IXTT12N150 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 Dotaz
IXTT16P60P Image IXTT16P60P IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 Dotaz
IXTT16N50D2 Image IXTT16N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 Dotaz
IXTT170N10P Image IXTT170N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 Dotaz
IXTT16P20 Image IXTT16P20 IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 Dotaz
IXTT110N10P Image IXTT110N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 Dotaz
IXTT11P50 Image IXTT11P50 IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 Dotaz
IXTT120N15P Image IXTT120N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 Dotaz
IXTT1N300P3HV Image IXTT1N300P3HV IXYS Corporation 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF Dotaz
IXTT12N140 Image IXTT12N140 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 Dotaz
IXTT12N150HV Image IXTT12N150HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 Dotaz
IXTT140N10P Image IXTT140N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 Dotaz
IXTT10P60 Image IXTT10P60 IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 Dotaz
IXTT1N450HV Image IXTT1N450HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 Dotaz
IXTT140P10T Image IXTT140P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 Dotaz
IXTT20N50D Image IXTT20N50D IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 Dotaz
IXTT16N20D2 Image IXTT16N20D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 Dotaz
IXTT1N250HV Image IXTT1N250HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV Dotaz
IXTT110N10L2 Image IXTT110N10L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 Dotaz

Latest News