IXSX35N120BD1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IXSX35N120BD1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IXSX35N120BD1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IXSX35N120BD1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IXSX35N120BD1
- Part Number:
- IXSX35N120BD1
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- IGBT 1200V 70A 300W PLUS247
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 46870 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IXSX35N120BD1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 3.6V @ 15V, 35A |
| Zkušební podmínky: | 960V, 35A, 5 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 36ns/160ns |
| přepínání energie: | 5mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | PLUS247™-3 |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 40ns |
| Power - Max: | 300W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | PT |
| Gate Charge: | 120nC |
| Detailní popis: | IGBT PT 1200V 70A 300W Through Hole PLUS247™-3 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 140A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 70A |
| Číslo základní části: | IXS*35N120 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXSX35N120BD1
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC