ISL6608IRZ je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro ISL6608IRZ, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro ISL6608IRZ e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si ISL6608IRZ s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
ISL6608IRZ
- Part Number:
- ISL6608IRZ
- Výrobce:
- Intersil
- Popis:
- IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 26832 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- ISL6608IRZ.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-QFN (3x3) |
| Série: | - |
| Doba vzestupu / pádu (typ): | 8ns, 8ns |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 8-VQFN Exposed Pad |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| vstupní frekvence: | 2 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 2 (1 Year) |
| Logické napětí - VIL, VIH: | - |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Non-Inverting |
| High Voltage Side - Max (Bootstrap): | 22V |
| Typ brány: | N-Channel MOSFET |
| Řízená konfigurace: | Half-Bridge |
| Detailní popis: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-QFN (3x3) |
| Aktuální - špičkový výstup (zdroj, dřez): | 2A, 2A |
| Base-emiter (Max): | Synchronous |
| Číslo základní části: | ISL6608 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro ISL6608IRZ
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
ISL6608IR | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
 |
ISL6609AIBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Dotaz |
|
ISL6609AIRZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
|
ISL6608IBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Dotaz |
|
ISL6608CR | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
|
ISL6608CRZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
|
ISL6608IB-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Dotaz |
|
ISL6609ACBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Dotaz |
|
ISL6608IBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Dotaz |
|
ISL6608CRZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
|
ISL6608CR-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
|
ISL6609ACRZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
|
ISL6608IR-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
|
ISL6609AIRZ-TK | Intersil | IC MOSFET DVR SYNC RECT 8-QFN | Dotaz |
|
ISL6608IRZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
|
ISL6609ACBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Dotaz |
|
ISL6608IB | Intersil | IC DRIVER MOSFET DUAL SYNC 8SOIC | Dotaz |
|
ISL6609ACRZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
|
ISL6609AIBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Dotaz |
|
ISL6609AIRZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení