IRS21952STRPBF je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IRS21952STRPBF, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IRS21952STRPBF e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IRS21952STRPBF s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IRS21952STRPBF
- Part Number:
- IRS21952STRPBF
- Popis:
- IC DRIVER HI/LO SIDE DUAL 16SOIC
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 56026 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IRS21952STRPBF.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 10 V ~ 20 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 16-SOIC |
| Série: | - |
| Doba vzestupu / pádu (typ): | 25ns, 25ns |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | IRS21952STRPBFTR SP001546264 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| vstupní frekvence: | 3 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 2 (1 Year) |
| Logické napětí - VIL, VIH: | 0.6V, 3.5V |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Non-Inverting |
| High Voltage Side - Max (Bootstrap): | 600V |
| Typ brány: | N-Channel MOSFET |
| Řízená konfigurace: | Half-Bridge, Low-Side |
| Detailní popis: | Half-Bridge, Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC |
| Aktuální - špičkový výstup (zdroj, dřez): | 500mA, 500mA |
| Base-emiter (Max): | Independent |
| Číslo základní části: | IRS21952SPBF |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRS21952STRPBF
Latest News
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území