IRGP4760DPBF je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IRGP4760DPBF, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IRGP4760DPBF e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IRGP4760DPBF s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IRGP4760DPBF
- Part Number:
- IRGP4760DPBF
- Popis:
- IGBT 650V TO-247
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 28906 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IRGP4760DPBF.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2V @ 15V, 48A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 48A, 10 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 70ns/140ns |
| přepínání energie: | 1.7mJ (on), 1mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247AC |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 170ns |
| Power - Max: | 325W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Ostatní jména: | SP001532964 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | - |
| Gate Charge: | 145nC |
| Detailní popis: | IGBT 650V 90A 325W Through Hole TO-247AC |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 144A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 90A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRGP4760DPBF
Latest News
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území