IRGB4715DPBF je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IRGB4715DPBF, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IRGB4715DPBF e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IRGB4715DPBF s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IRGB4715DPBF
- Part Number:
- IRGB4715DPBF
- Popis:
- IGBT 650V TO-220AB
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 41959 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IRGB4715DPBF.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2V @ 15V, 8A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 8A, 50 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 30ns/100ns |
| přepínání energie: | 200µJ (on), 90µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220AB |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 86ns |
| Power - Max: | 100W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | SP001541638 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | - |
| Gate Charge: | 30nC |
| Detailní popis: | IGBT 650V 21A 100W Through Hole TO-220AB |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 24A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 21A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRGB4715DPBF
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy