IRG4BC20MDPBF je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IRG4BC20MDPBF, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IRG4BC20MDPBF e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IRG4BC20MDPBF s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IRG4BC20MDPBF
- Part Number:
- IRG4BC20MDPBF
- Popis:
- IGBT 600V 18A 60W TO220AB
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 23985 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IRG4BC20MDPBF.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 11A |
| Zkušební podmínky: | 480V, 11A, 50 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 21ns/463ns |
| přepínání energie: | 410µJ (on), 2.03mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220AB |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 37ns |
| Power - Max: | 60W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | *IRG4BC20MDPBF SP001535622 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | - |
| Gate Charge: | 39nC |
| Detailní popis: | IGBT 600V 18A 60W Through Hole TO-220AB |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 36A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 18A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRG4BC20MDPBF
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické