IRFR3711TRRPBF je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IRFR3711TRRPBF, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IRFR3711TRRPBF e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IRFR3711TRRPBF s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IRFR3711TRRPBF
- Part Number:
- IRFR3711TRRPBF
- Popis:
- MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 59356 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IRFR3711TRRPBF.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | D-Pak |
| Série: | HEXFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 2.5W (Ta), 120W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2980pF @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
| Detailní popis: | N-Channel 20V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRFR3711TRRPBF
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy