IRF7106 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IRF7106, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IRF7106 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IRF7106 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IRF7106
- Part Number:
- IRF7106
- Popis:
- MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 55247 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IRF7106.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SO |
| Série: | HEXFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 1A, 10V |
| Power - Max: | 2W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
| Detailní popis: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2.5A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRF7106
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické