IRF6610TR1
IRF6610TR1
Part Number:
IRF6610TR1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Vedoucí volný stav:
Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
Množství zásob:
34406 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
IRF6610TR1.pdf

Úvod

IRF6610TR1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IRF6610TR1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IRF6610TR1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IRF6610TR1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:2.55V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:DIRECTFET™ SQ
Série:HEXFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:6.8 mOhm @ 15A, 10V
Ztráta energie (Max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:DirectFET™ Isometric SQ
Ostatní jména:IRF6610
IRF6610-ND
IRF6610TR1-ND
IRF6610TR1TR
SP001526776
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):3 (168 Hours)
Stav volného vedení / RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1520pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Detailní popis:N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:15A (Ta), 66A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře