IRD3CH9DB6 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IRD3CH9DB6, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IRD3CH9DB6 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IRD3CH9DB6 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IRD3CH9DB6
- Part Number:
- IRD3CH9DB6
- Popis:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 50176 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IRD3CH9DB6.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 2.7V @ 10A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V |
| Dodavatel zařízení Package: | Die |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 154ns |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Die |
| Ostatní jména: | SP001544374 |
| Provozní teplota - spojení: | -40°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 1200V 10A Surface Mount Die |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 200nA @ 1200V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 10A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRD3CH9DB6
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické