IR2136PBF je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IR2136PBF, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IR2136PBF e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IR2136PBF s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IR2136PBF
- Part Number:
- IR2136PBF
- Popis:
- IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 21651 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IR2136PBF.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 10 V ~ 20 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 28-PDIP |
| Série: | - |
| Doba vzestupu / pádu (typ): | 125ns, 50ns |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 28-DIP (0.600", 15.24mm) |
| Ostatní jména: | SP001544476 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| vstupní frekvence: | 6 |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 22 Weeks |
| Logické napětí - VIL, VIH: | 0.8V, 3V |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Inverting |
| High Voltage Side - Max (Bootstrap): | 600V |
| Typ brány: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Řízená konfigurace: | Half-Bridge |
| Detailní popis: | Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 28-PDIP |
| Aktuální - špičkový výstup (zdroj, dřez): | 200mA, 350mA |
| Base-emiter (Max): | 3-Phase |
| Číslo základní části: | IR2136PBF |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IR2136PBF
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení