IR2011S je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IR2011S, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IR2011S e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IR2011S s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IR2011S
- Part Number:
- IR2011S
- Popis:
- HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 57532 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IR2011S.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 10 V ~ 20 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SOIC |
| Série: | - |
| Doba vzestupu / pádu (typ): | 35ns, 20ns |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | *IR2011S |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| vstupní frekvence: | 2 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logické napětí - VIL, VIH: | 0.7V, 2.2V |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ vstupu: | Inverting |
| High Voltage Side - Max (Bootstrap): | 200V |
| Typ brány: | N-Channel MOSFET |
| Řízená konfigurace: | Half-Bridge |
| Detailní popis: | Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 8-SOIC |
| Aktuální - špičkový výstup (zdroj, dřez): | 1A, 1A |
| Base-emiter (Max): | Independent |
| Číslo základní části: | IR2011S |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IR2011S
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy