IPP10N03LB G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IPP10N03LB G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IPP10N03LB G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IPP10N03LB G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IPP10N03LB G
- Part Number:
- IPP10N03LB G
- Popis:
- MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 51629 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IPP10N03LB G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2V @ 20µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO220-3-1 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 9.9 mOhm @ 50A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 58W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | IPP10N03LB G-ND IPP10N03LBGIN IPP10N03LBGX IPP10N03LBGXK SP000064222 SP000680860 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1639pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IPP10N03LB G
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný