IPB100N04S303ATMA1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IPB100N04S303ATMA1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IPB100N04S303ATMA1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IPB100N04S303ATMA1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IPB100N04S303ATMA1
- Part Number:
- IPB100N04S303ATMA1
- Popis:
- MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 35464 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IPB100N04S303ATMA1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 150µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO263-3-2 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 80A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 214W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | IPB100N04S3-03 IPB100N04S3-03-ND IPB100N04S3-03TR IPB100N04S3-03TR-ND IPB100N04S303 IPB100N04S303ATMA1TR SP000260847 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 9600pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 40V |
| Detailní popis: | N-Channel 40V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IPB100N04S303ATMA1
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy