IKB03N120H2ATMA1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IKB03N120H2ATMA1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IKB03N120H2ATMA1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IKB03N120H2ATMA1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IKB03N120H2ATMA1
- Part Number:
- IKB03N120H2ATMA1
- Popis:
- IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 46056 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IKB03N120H2ATMA1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.8V @ 15V, 3A |
| Zkušební podmínky: | 800V, 3A, 82 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 9.2ns/281ns |
| přepínání energie: | 290µJ |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO263-3-2 |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 42ns |
| Power - Max: | 62.5W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | IKB03N120H2 IKB03N120H2-ND IKB03N120H2ATMA1TR SP000014272 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | - |
| Gate Charge: | 22nC |
| Detailní popis: | IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 9.9A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 9.6A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IKB03N120H2ATMA1
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické