IDT71V25761YSA166BGI8 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IDT71V25761YSA166BGI8, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IDT71V25761YSA166BGI8 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IDT71V25761YSA166BGI8 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IDT71V25761YSA166BGI8
- Part Number:
- IDT71V25761YSA166BGI8
- Popis:
- IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 36002 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | - |
| Napětí - Supply: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Technika: | SRAM - Synchronous |
| Dodavatel zařízení Package: | 119-PBGA (14x22) |
| Série: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 119-BGA |
| Ostatní jména: | 71V25761YSA166BGI8 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Volatile |
| Velikost paměti: | 4.5Mb (128K x 36) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | SRAM |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Detailní popis: | SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 166MHz 3.5ns 119-PBGA (14x22) |
| Frekvence hodin: | 166MHz |
| Číslo základní části: | IDT71V25761 |
| přístupová doba: | 3.5ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IDT71V25761YSA166BGI8
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy