IDT71P74804S167BQG8 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IDT71P74804S167BQG8, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IDT71P74804S167BQG8 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IDT71P74804S167BQG8 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IDT71P74804S167BQG8
- Part Number:
- IDT71P74804S167BQG8
- Popis:
- IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 59719 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IDT71P74804S167BQG8.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | - |
| Napětí - Supply: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technika: | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Dodavatel zařízení Package: | 165-CABGA (13x15) |
| Série: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 165-TBGA |
| Ostatní jména: | 71P74804S167BQG8 |
| Provozní teplota: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Volatile |
| Velikost paměti: | 18Mb (1M x 18) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | SRAM |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 167MHz 8.4ns 165-CABGA (13x15) |
| Frekvence hodin: | 167MHz |
| Číslo základní části: | IDT71P74 |
| přístupová doba: | 8.4ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IDT71P74804S167BQG8
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení