HSMS-285L-BLKG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro HSMS-285L-BLKG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro HSMS-285L-BLKG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si HSMS-285L-BLKG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
HSMS-285L-BLKG
- Part Number:
- HSMS-285L-BLKG
- Popis:
- DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-363
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 50942 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- HSMS-285L-BLKG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | 2V |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT-363 |
| Série: | - |
| Odpor při IF, F: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Schottky - 3 Independent |
| Detailní popis: | RF Diode Schottky - 3 Independent 2V SOT-363 |
| Kapacitní @ Vr, F: | 0.3pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro HSMS-285L-BLKG
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS