HSM830JE3/TR13 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro HSM830JE3/TR13, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro HSM830JE3/TR13 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si HSM830JE3/TR13 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
HSM830JE3/TR13
- Part Number:
- HSM830JE3/TR13
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO214AB
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 34336 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- HSM830JE3/TR13.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 620mV @ 8A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 30V |
| Dodavatel zařízení Package: | DO-214AB |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | DO-214AB, SMC |
| Provozní teplota - spojení: | -55°C ~ 175°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Schottky |
| Detailní popis: | Diode Schottky 30V 8A Surface Mount DO-214AB |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 250µA @ 30V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 8A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Číslo základní části: | HSM830 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro HSM830JE3/TR13
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
HSM825GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB | Dotaz |
 |
HSM8100J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB | Dotaz |
|
HSM830J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO214AB | Dotaz |
|
HSM825J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO214AB | Dotaz |
|
HSM845G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB | Dotaz |
|
HSM825G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB | Dotaz |
|
HSM8100JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB | Dotaz |
|
HSM835J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | Dotaz |
|
HSM840J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | Dotaz |
|
HSM840GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | Dotaz |
|
HSM840JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | Dotaz |
|
HSM835G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | Dotaz |
|
HSM8100GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO215AB | Dotaz |
|
HSM845GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB | Dotaz |
|
HSM830G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB | Dotaz |
|
HSM835JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | Dotaz |
|
HSM825JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO214AB | Dotaz |
|
HSM835GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | Dotaz |
|
HSM830GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB | Dotaz |
|
HSM840G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení