HN4B01JE(TE85L,F) je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro HN4B01JE(TE85L,F), máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro HN4B01JE(TE85L,F) e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si HN4B01JE(TE85L,F) s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
HN4B01JE(TE85L,F)
- Part Number:
- HN4B01JE(TE85L,F)
- Popis:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 45170 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- HN4B01JE(TE85L,F).pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Transistor Type: | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
| Dodavatel zařízení Package: | ESV |
| Série: | - |
| Power - Max: | 100mW |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | SOT-553 |
| Ostatní jména: | HN4B01JE(TE85LF)CT |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 80MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ESV |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 10MA, 100MA |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro HN4B01JE(TE85L,F)
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické